Infineon Technologies - IPI65R099C6XKSA1

KEY Part #: K6403166

IPI65R099C6XKSA1 Цены (доллары США) [2452шт сток]

  • 1 pcs$3.10693
  • 10 pcs$2.77553
  • 100 pcs$2.27604

номер части:
IPI65R099C6XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPI65R099C6XKSA1 electronic components. IPI65R099C6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI65R099C6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI65R099C6XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPI65R099C6XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 127nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2780pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 278W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO262-3-1
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в