Vishay Semiconductor Diodes Division - US1K-E3/61T

KEY Part #: K6452648

US1K-E3/61T Цены (доллары США) [854857шт сток]

  • 1 pcs$0.04327
  • 1,800 pcs$0.04128
  • 3,600 pcs$0.03715
  • 5,400 pcs$0.03508
  • 12,600 pcs$0.03199
  • 45,000 pcs$0.02993

номер части:
US1K-E3/61T
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1K-E3/61T electronic components. US1K-E3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1K-E3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1K-E3/61T Атрибуты продукта

номер части : US1K-E3/61T
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • RHRD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast