Microsemi Corporation - APT41M80B2

KEY Part #: K6396052

APT41M80B2 Цены (доллары США) [5955шт сток]

  • 1 pcs$7.64880
  • 31 pcs$7.61075

номер части:
APT41M80B2
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT41M80B2 electronic components. APT41M80B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT41M80B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT41M80B2 Атрибуты продукта

номер части : APT41M80B2
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Серии : POWER MOS 8™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 43A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8070pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1040W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : T-MAX™ [B2]
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant

Вы также можете быть заинтересованы в