номер части :
RN1911FETE85LF
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Состояние детали :
Active
Тип Транзистора :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
50V
Резистор - База (R1) :
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) :
-
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
100nA (ICBO)
Частота - Переход :
250MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOT-563, SOT-666
Комплект поставки устройства :
ES6