IXYS - IXTH12N150

KEY Part #: K6394917

IXTH12N150 Цены (доллары США) [9758шт сток]

  • 1 pcs$4.66879
  • 30 pcs$4.64556

номер части:
IXTH12N150
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH12N150 electronic components. IXTH12N150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH12N150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH12N150 Атрибуты продукта

номер части : IXTH12N150
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3720pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 890W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3