номер части :
IPB80N06S2L09ATMA2
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
105nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
2620pF @ 25V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
190W (Tc)
Рабочая Температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
PG-TO263-3-2
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB