ON Semiconductor - NXH80B120H2Q0SG

KEY Part #: K6532752

NXH80B120H2Q0SG Цены (доллары США) [1148шт сток]

  • 1 pcs$37.67092

номер части:
NXH80B120H2Q0SG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
PIM 1200V 40A DUAL BOOST.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NXH80B120H2Q0SG electronic components. NXH80B120H2Q0SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NXH80B120H2Q0SG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NXH80B120H2Q0SG Атрибуты продукта

номер части : NXH80B120H2Q0SG
производитель : ON Semiconductor
Описание : PIM 1200V 40A DUAL BOOST
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Dual Boost Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 41A
Мощность - Макс : 103W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 9.7nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT