Microsemi Corporation - APT30M70BVRG

KEY Part #: K6397705

APT30M70BVRG Цены (доллары США) [6431шт сток]

  • 1 pcs$7.05120
  • 10 pcs$6.40822
  • 100 pcs$5.44705

номер части:
APT30M70BVRG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT30M70BVRG electronic components. APT30M70BVRG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30M70BVRG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30M70BVRG Атрибуты продукта

номер части : APT30M70BVRG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
Серии : POWER MOS V®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 48A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5870pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 370W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.