Infineon Technologies - IRLU3636PBF

KEY Part #: K6419284

IRLU3636PBF Цены (доллары США) [101987шт сток]

  • 1 pcs$0.38339

номер части:
IRLU3636PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLU3636PBF electronic components. IRLU3636PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLU3636PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLU3636PBF Атрибуты продукта

номер части : IRLU3636PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 49nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3779pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 143W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в