BAS16LD,315 Цены (доллары США) [2740152шт сток]
- 1 pcs$0.01933
- 10,000 pcs$0.01923
- 30,000 pcs$0.01810
- 50,000 pcs$0.01697
- 100,000 pcs$0.01504
- номер части:
- BAS16LD,315
- производитель:
- Nexperia USA Inc.
- Подробное описание:
- DIODE GP 100V 215MA SOD882D. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 4A SINGLE
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16LD,315 electronic components. BAS16LD,315 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16LD,315, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16LD,315 Атрибуты продукта
номер части :
BAS16LD,315
производитель :
Nexperia USA Inc.
Описание :
DIODE GP 100V 215MA SOD882D
Серии :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
215mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
500nA @ 80V
Емкость @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
2-XDFN
Комплект поставки устройства :
DFN1006D-2
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
USB260HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,600V,30NS,SMB UF Rectifier SMB
-
UH2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
-
UH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
-
ESH2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18