IXYS - IXTN17N120L

KEY Part #: K6394868

IXTN17N120L Цены (доллары США) [2408шт сток]

  • 1 pcs$18.97946
  • 10 pcs$18.88503

номер части:
IXTN17N120L
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTN17N120L electronic components. IXTN17N120L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN17N120L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN17N120L Атрибуты продукта

номер части : IXTN17N120L
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 155nC @ 15V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 540W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC