Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1D-E3/5AT

KEY Part #: K6455080

ES1D-E3/5AT Цены (доллары США) [1099474шт сток]

  • 1 pcs$0.03364
  • 7,500 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02532
  • 37,500 pcs$0.02373
  • 52,500 pcs$0.02110

номер части:
ES1D-E3/5AT
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1D-E3/5AT electronic components. ES1D-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1D-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D-E3/5AT Атрибуты продукта

номер части : ES1D-E3/5AT
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 920mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM