Vishay Siliconix - SI4953ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6524085

[3949шт сток]


    номер части:
    SI4953ADY-T1-GE3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4953ADY-T1-GE3 electronic components. SI4953ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4953ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4953ADY-T1-GE3 Атрибуты продукта

    номер части : SI4953ADY-T1-GE3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
    Серии : TrenchFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : 2 P-Channel (Dual)
    Функция FET : Logic Level Gate
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.7A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 4.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Мощность - Макс : 1.1W
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Комплект поставки устройства : 8-SO

    Вы также можете быть заинтересованы в