Vishay Siliconix - SI1013R-T1-GE3

KEY Part #: K6420200

SI1013R-T1-GE3 Цены (доллары США) [644086шт сток]

  • 1 pcs$0.05743
  • 3,000 pcs$0.05168

номер части:
SI1013R-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI1013R-T1-GE3 electronic components. SI1013R-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1013R-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1013R-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI1013R-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 350mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±6V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-75A
Пакет / Дело : SC-75A

Вы также можете быть заинтересованы в