Infineon Technologies - IRF7580MTRPBF

KEY Part #: K6419240

IRF7580MTRPBF Цены (доллары США) [99089шт сток]

  • 1 pcs$0.39460
  • 4,800 pcs$0.37667

номер части:
IRF7580MTRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF7580MTRPBF electronic components. IRF7580MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7580MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7580MTRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF7580MTRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
Серии : StrongIRFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 114A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6510pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 115W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DirectFET™ Isometric ME
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric ME

Вы также можете быть заинтересованы в