Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

KEY Part #: K914121

[13447шт сток]

    номер части:
    MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
    производитель:
    Micron Technology Inc.
    Подробное описание:
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Защелки, объем памяти, PMIC - светодиодные драйверы, Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы, Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, Embedded - система на чипе (SoC), Интерфейс - Модемы - ИС и модули and Логика - Компараторы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR electronic components. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Атрибуты продукта

    номер части : MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
    производитель : Micron Technology Inc.
    Описание : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип памяти : Volatile
    Формат памяти : DRAM
    Технология : SDRAM - Mobile LPDDR4
    Размер памяти : 32Gb (512M x 64)
    Тактовая частота : 2133MHz
    Время цикла записи - слово, страница : -
    Время доступа : -
    Интерфейс памяти : -
    Напряжение - Поставка : 1.1V
    Рабочая Температура : -30°C ~ 105°C (TC)
    Тип монтажа : -
    Пакет / Дело : -
    Комплект поставки устройства : -

    Последние новости

    Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
    Micron NAND Flash
    Micron SLC NAND Flash Memory
    Micron NAND-Based MCP
    Micron 9200 NVMe™ SSDs
    Micron 9300 NVMe™ SSD
    Micron LPDRAM
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • 70V06L15PFG8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP. SRAM 16Kx8, 128K 3.3V DUAL-PORT RAM

    • 7006L20PFGI8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP. SRAM 16K X 8 DP SRAM

    • 7006L15PFG8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP. SRAM 16K X 8 DP SRAM

    • 70V06L20PFGI8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP. SRAM 16Kx8, 128K 3.3V DUAL-PORT RAM

    • IS61LPD51236A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v

    • IS61LPD102418A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v

    Горячие части