Microsemi Corporation - 1N6621US

KEY Part #: K6440339

1N6621US Цены (доллары США) [6151шт сток]

  • 1 pcs$7.31121
  • 10 pcs$6.64487
  • 25 pcs$6.14653
  • 100 pcs$5.64814

номер части:
1N6621US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6621US electronic components. 1N6621US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6621US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6621US Атрибуты продукта

номер части : 1N6621US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 440V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.4V @ 1.2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 30ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 440V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : A-MELF
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM