Microsemi Corporation - APT56M50B2

KEY Part #: K6394096

APT56M50B2 Цены (доллары США) [9228шт сток]

  • 1 pcs$5.84368
  • 10 pcs$5.31044
  • 100 pcs$4.51396

номер части:
APT56M50B2
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT56M50B2 electronic components. APT56M50B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT56M50B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT56M50B2 Атрибуты продукта

номер части : APT56M50B2
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 56A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 780W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : T-MAX™
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.