Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10G-E3/53

KEY Part #: K6457744

EGP10G-E3/53 Цены (доллары США) [664922шт сток]

  • 1 pcs$0.05870
  • 9,000 pcs$0.05841

номер части:
EGP10G-E3/53
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL. Rectifiers 400V 1A 50ns Glass Passivated TrimLeads
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10G-E3/53 electronic components. EGP10G-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10G-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10G-E3/53 Атрибуты продукта

номер части : EGP10G-E3/53
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM