Vishay Siliconix - IRFD014PBF

KEY Part #: K6403147

IRFD014PBF Цены (доллары США) [96413шт сток]

  • 1 pcs$0.41810
  • 10 pcs$0.34567
  • 100 pcs$0.26665
  • 500 pcs$0.19751
  • 1,000 pcs$0.15801

номер части:
IRFD014PBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD014PBF electronic components. IRFD014PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD014PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD014PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFD014PBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 310pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.3W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / Дело : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Вы также можете быть заинтересованы в