Infineon Technologies - IPD180N10N3GBTMA1

KEY Part #: K6393695

IPD180N10N3GBTMA1 Цены (доллары США) [202426шт сток]

  • 1 pcs$0.18272

номер части:
IPD180N10N3GBTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD180N10N3GBTMA1 electronic components. IPD180N10N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD180N10N3GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD180N10N3GBTMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD180N10N3GBTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 43A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1800pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 71W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.