ON Semiconductor - FDC6312P

KEY Part #: K6525285

FDC6312P Цены (доллары США) [590450шт сток]

  • 1 pcs$0.06296
  • 3,000 pcs$0.06264

номер части:
FDC6312P
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDC6312P electronic components. FDC6312P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6312P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6312P Атрибуты продукта

номер части : FDC6312P
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 P-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 467pF @ 10V
Мощность - Макс : 700mW
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект поставки устройства : SuperSOT™-6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8M70TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC.

  • SH8M4TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.

  • SQ4946AEY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 7A.