NRVBM120ET1G Цены (доллары США) [401844шт сток]
- 1 pcs$0.09713
- 3,000 pcs$0.09664
- номер части:
- NRVBM120ET1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers REC 1A 20V PWRMITE SCHTKY
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor NRVBM120ET1G electronic components. NRVBM120ET1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVBM120ET1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVBM120ET1G Атрибуты продукта
номер части :
NRVBM120ET1G
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Серии :
POWERMITE®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
20V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
595mV @ 2A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
500nA @ 5V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-216AA
Комплект поставки устройства :
Powermite
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Горячие части
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF