NXP USA Inc. - A2T27S020GNR1

KEY Part #: K6465930

A2T27S020GNR1 Цены (доллары США) [4988шт сток]

  • 1 pcs$8.68531

номер части:
A2T27S020GNR1
производитель:
NXP USA Inc.
Подробное описание:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in NXP USA Inc. A2T27S020GNR1 electronic components. A2T27S020GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2T27S020GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2T27S020GNR1 Атрибуты продукта

номер части : A2T27S020GNR1
производитель : NXP USA Inc.
Описание : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : LDMOS
частота : 400MHz ~ 2.7GHz
Усиление : 21dB
Напряжение - тест : 28V
Текущий рейтинг : 10µA
Коэффициент шума : -
Текущий - Тест : 185mA
Выходная мощность : 20W
Напряжение - Номинальная : 65V
Пакет / Дело : TO-270BA
Комплект поставки устройства : TO-270-2 GULL

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.