объем памяти

Образ KEY Part # / Производитель Описание / PDF Количество / Запрос

MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ.

9362шт сток

MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ.

9345шт сток

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ.

9327шт сток

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ.

9310шт сток

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ.

9293шт сток

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ. NAND Flash MLC 512G 64GX8 VBGA DDP

9278шт сток

MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ.

9261шт сток

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ.

9244шт сток

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ.

12281шт сток

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ.

9210шт сток

MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ.

9193шт сток

MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ.

9176шт сток

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ.

9160шт сток

MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA.

9143шт сток

MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP.

9126шт сток

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ.

9109шт сток

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA.

9092шт сток

MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ.

9075шт сток

MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ.

9042шт сток

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ.

12261шт сток