Infineon Technologies - IRFR3708TRRPBF

KEY Part #: K6420017

IRFR3708TRRPBF Цены (доллары США) [151819шт сток]

  • 1 pcs$0.24363
  • 3,000 pcs$0.23388

номер части:
IRFR3708TRRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3708TRRPBF electronic components. IRFR3708TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3708TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3708TRRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR3708TRRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 61A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2417pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 87W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в