Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра
  5. BLP10H605AZ

Ampleon USA Inc. - BLP10H605AZ

KEY Part #: K6466382

BLP10H605AZ Цены (доллары США) [5116шт сток]

  • 1 pcs$9.92361
  • 60 pcs$9.87423
  • 120 pcs$8.82876
  • 300 pcs$8.42218
номер части:
BLP10H605AZ
производитель:
Ampleon USA Inc.
Подробное описание:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLP10H605AZ electronic components. BLP10H605AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP10H605AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLP10H605AZ Атрибуты продукта

номер части : BLP10H605AZ
производитель : Ampleon USA Inc.
Описание : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : LDMOS (Dual), Common Source
частота : 860MHz
Усиление : 22.4dB
Напряжение - тест : 50V
Текущий рейтинг : -
Коэффициент шума : -
Текущий - Тест : 30mA
Выходная мощность : 5W
Напряжение - Номинальная : 104V
Пакет / Дело : 12-VDFN Exposed Pad
Комплект поставки устройства : 12-HVSON (6x4)
Вы также можете быть заинтересованы в
  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

  • STAC3932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

  • STAC4932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

Горячие части