Infineon Technologies - IPB180N04S400ATMA1

KEY Part #: K6416940

IPB180N04S400ATMA1 Цены (доллары США) [51368шт сток]

  • 1 pcs$0.76119
  • 1,000 pcs$0.69828

номер части:
IPB180N04S400ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S400ATMA1 electronic components. IPB180N04S400ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S400ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N04S400ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB180N04S400ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.98 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 286nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 22880pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7-3
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.