IXYS Integrated Circuits Division - IXDN609SI

KEY Part #: K1223256

IXDN609SI Цены (доллары США) [35732шт сток]

  • 1 pcs$1.34854
  • 10 pcs$1.21809
  • 25 pcs$1.03170
  • 100 pcs$0.92852
  • 250 pcs$0.82533
  • 500 pcs$0.72217
  • 1,000 pcs$0.59836
  • 2,500 pcs$0.55710
  • 5,000 pcs$0.53646

номер части:
IXDN609SI
производитель:
IXYS Integrated Circuits Division
Подробное описание:
IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC. Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы, Embedded - микроконтроллеры, PMIC - AC DC преобразователи, автономные коммутато, Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS), Интерфейс - расширители ввода / вывода and Embedded - PLD (программируемое логическое устройс ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SI electronic components. IXDN609SI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDN609SI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDN609SI Атрибуты продукта

номер части : IXDN609SI
производитель : IXYS Integrated Circuits Division
Описание : IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Управляемая конфигурация : Low-Side
Тип канала : Single
Количество водителей : 1
Тип ворот : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка : 4.5V ~ 35V
Логическое напряжение - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) : 9A, 9A
Тип ввода : Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) : -
Время подъема / падения (тип.) : 22ns, 15ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Комплект поставки устройства : 8-SOIC-EP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MIC4607-2YTS-TR

    Microchip Technology

    IC MOSFET DVR 85V 3PH 28TSSOP. Gate Drivers MOSFET Driver 85V, 3-Phase

  • MIC4607-1YTS-TR

    Microchip Technology

    IC MOSFET DVR 85V 3PH 28TSSOP. Gate Drivers MOSFET Driver 85V, 3-Phase

  • UCC27424MDGNREP

    Texas Instruments

    IC MOSFET DVR DUAL 4A HS 8-MSOP. Gate Drivers Mil Enh Dual 4A MOS FET Driver

  • UCC37321DGN

    Texas Instruments

    IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-MSOP. Gate Drivers Sgl 9-A H-S L-S MOSFET Driver

  • UCC37322DGN

    Texas Instruments

    IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-MSOP. Gate Drivers Sgl 9-A H-S L-S MOSFET Driver

  • UCC27211DRMT

    Texas Instruments

    IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8VSON. Gate Drivers 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr