Vishay Semiconductor Diodes Division - UG4D-E3/73

KEY Part #: K6445916

UG4D-E3/73 Цены (доллары США) [405485шт сток]

  • 1 pcs$0.09122
  • 2,000 pcs$0.07692

номер части:
UG4D-E3/73
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG4D-E3/73 electronic components. UG4D-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG4D-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG4D-E3/73 Атрибуты продукта

номер части : UG4D-E3/73
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 950mV @ 4A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 30ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства : DO-201AD
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VT3080S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH