Taiwan Semiconductor Corporation - SF1001G C0G

KEY Part #: K6434586

SF1001G C0G Цены (доллары США) [361086шт сток]

  • 1 pcs$0.10243

номер части:
SF1001G C0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF1001G C0G electronic components. SF1001G C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF1001G C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF1001G C0G Атрибуты продукта

номер части : SF1001G C0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 975mV @ 5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-3
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF02STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3