Microsemi Corporation - APT65GP60B2G

KEY Part #: K6422600

APT65GP60B2G Цены (доллары США) [4372шт сток]

  • 1 pcs$9.90999
  • 10 pcs$9.01072
  • 25 pcs$8.33514
  • 100 pcs$7.28565
  • 250 pcs$6.64278

номер части:
APT65GP60B2G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 100A 833W TMAX.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT65GP60B2G electronic components. APT65GP60B2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT65GP60B2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT65GP60B2G Атрибуты продукта

номер части : APT65GP60B2G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 100A 833W TMAX
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : PT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 250A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Мощность - Макс : 833W
Энергия переключения : 605µJ (on), 896µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 210nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 30ns/91ns
Условия испытаний : 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в