ON Semiconductor - NTHS5402T1

KEY Part #: K6412590

[8439шт сток]


    номер части:
    NTHS5402T1
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Тиристоры - СКВ - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor NTHS5402T1 electronic components. NTHS5402T1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS5402T1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTHS5402T1 Атрибуты продукта

    номер части : NTHS5402T1
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.9A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.3W (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : ChipFET™
    Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

    Вы также можете быть заинтересованы в