Infineon Technologies - IPI65R380C6XKSA1

KEY Part #: K6418575

IPI65R380C6XKSA1 Цены (доллары США) [68686шт сток]

  • 1 pcs$0.56927
  • 500 pcs$0.52227

номер части:
IPI65R380C6XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPI65R380C6XKSA1 electronic components. IPI65R380C6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI65R380C6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI65R380C6XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPI65R380C6XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 710pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO262-3
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA