Vishay Siliconix - SQJ469EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418247

SQJ469EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [56682шт сток]

  • 1 pcs$0.68982
  • 3,000 pcs$0.58983

номер части:
SQJ469EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ469EP-T1_GE3 electronic components. SQJ469EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ469EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ469EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJ469EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5100pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.