Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1

KEY Part #: K6420180

IPD122N10N3GATMA1 Цены (доллары США) [167525шт сток]

  • 1 pcs$0.22079
  • 2,500 pcs$0.21190

номер части:
IPD122N10N3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 59A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 electronic components. IPD122N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD122N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD122N10N3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD122N10N3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 59A
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 59A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 94W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в