Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. 71V416S12YG8

IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416S12YG8

KEY Part #: K941191

71V416S12YG8 Цены (доллары США) [34692шт сток]

  • 1 pcs$1.32751
  • 500 pcs$1.32090
номер части:
71V416S12YG8
производитель:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Подробное описание:
IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: объем памяти, Интерфейс - расширители ввода / вывода, Часы / Время - Линии задержки, Память - Конфигурация Proms для FPGA, Интерфейс - Фильтры - Активные, PMIC - Управление батареями, Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение and Логика - Генераторы четности и шашки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YG8 electronic components. 71V416S12YG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V416S12YG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416S12YG8 Атрибуты продукта

номер части : 71V416S12YG8
производитель : IDT, Integrated Device Technology Inc
Описание : IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 4Mb (256K x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 12ns
Время доступа : 12ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 44-SOJ
Вы также можете быть заинтересованы в
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 24LC1026-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V SER EE 128 BYTE EXT

Горячие части