Sanken - GKI10526

KEY Part #: K6393350

GKI10526 Цены (доллары США) [371115шт сток]

  • 1 pcs$0.10231
  • 15,000 pcs$0.10180

номер части:
GKI10526
производитель:
Sanken
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Sanken GKI10526 electronic components. GKI10526 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GKI10526, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GKI10526 Атрибуты продукта

номер части : GKI10526
производитель : Sanken
Описание : MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47.7 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1530pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-DFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN