ON Semiconductor - SMUN5216DW1T1G

KEY Part #: K6528854

SMUN5216DW1T1G Цены (доллары США) [905688шт сток]

  • 1 pcs$0.04084
  • 6,000 pcs$0.03777

номер части:
SMUN5216DW1T1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor SMUN5216DW1T1G electronic components. SMUN5216DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMUN5216DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SMUN5216DW1T1G Атрибуты продукта

номер части : SMUN5216DW1T1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : -
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 187mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в