STMicroelectronics - STGB10H60DF

KEY Part #: K6423175

STGB10H60DF Цены (доллары США) [70013шт сток]

  • 1 pcs$0.55848
  • 1,000 pcs$0.49651
  • 2,000 pcs$0.46227

номер части:
STGB10H60DF
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 600V 20A 115W D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGB10H60DF electronic components. STGB10H60DF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGB10H60DF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB10H60DF Атрибуты продукта

номер части : STGB10H60DF
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 600V 20A 115W D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 20A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 40A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 10A
Мощность - Макс : 115W
Энергия переключения : 83µJ (on), 140µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 57nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 19.5ns/103ns
Условия испытаний : 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 107ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : D2PAK

Вы также можете быть заинтересованы в