IXYS - IXFH20N80Q

KEY Part #: K6413817

IXFH20N80Q Цены (доллары США) [12968шт сток]

  • 30 pcs$6.88197

номер части:
IXFH20N80Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH20N80Q electronic components. IXFH20N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH20N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH20N80Q Атрибуты продукта

номер части : IXFH20N80Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 360W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5805

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

  • IRF5800

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

  • IRF5804

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • IRF5803

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5806

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

  • ZVN4206AVSTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.