EPC - EPC2045ENGRT

KEY Part #: K6415960

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - IGBT - Single ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in EPC EPC2045ENGRT electronic components. EPC2045ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2045ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : EPC2045ENGRT

производитель : EPC

Описание : GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

Серии : eGaN®

Состояние детали : Discontinued at Digi-Key

Тип FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 16A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.5nC @ 5V

Vgs (Макс) : +6V, -4V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 685pF @ 50V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : -

Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : Die

Пакет / Дело : Die

Вы также можете быть заинтересованы в