Infineon Technologies - AUIRF8736M2TR

KEY Part #: K6409116

AUIRF8736M2TR Цены (доллары США) [63579шт сток]

  • 1 pcs$0.61500
  • 4,800 pcs$0.57301

номер части:
AUIRF8736M2TR
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 137A AUTO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF8736M2TR electronic components. AUIRF8736M2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF8736M2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF8736M2TR Атрибуты продукта

номер части : AUIRF8736M2TR
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 137A AUTO
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 27A (Ta), 137A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 204nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6867pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ M4
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric M4

Вы также можете быть заинтересованы в