Microsemi Corporation - APT50GN120B2G

KEY Part #: K6421896

APT50GN120B2G Цены (доллары США) [7890шт сток]

  • 1 pcs$5.22229
  • 10 pcs$4.74810
  • 25 pcs$4.39202
  • 100 pcs$4.03597
  • 250 pcs$3.67986
  • 500 pcs$3.44246

номер части:
APT50GN120B2G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 134A 543W TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT50GN120B2G electronic components. APT50GN120B2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GN120B2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GN120B2G Атрибуты продукта

номер части : APT50GN120B2G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 134A 543W TO-247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT, Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 134A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 150A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 543W
Энергия переключения : 4495µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 315nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 28ns/320ns
Условия испытаний : 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в