Taiwan Semiconductor Corporation - SFS1008G MNG

KEY Part #: K6428592

SFS1008G MNG Цены (доллары США) [280423шт сток]

  • 1 pcs$0.13190

номер части:
SFS1008G MNG
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SFS1008G MNG electronic components. SFS1008G MNG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SFS1008G MNG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFS1008G MNG Атрибуты продукта

номер части : SFS1008G MNG
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB (D²PAK)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • SE30PAJ-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA

  • VS-2EJH01-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

  • VS-2EJH01-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

  • VS-3EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101