Infineon Technologies - IPD60R380P6ATMA1

KEY Part #: K6409613

IPD60R380P6ATMA1 Цены (доллары США) [109777шт сток]

  • 1 pcs$0.33693
  • 2,500 pcs$0.28419

номер части:
IPD60R380P6ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V DPAK-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R380P6ATMA1 electronic components. IPD60R380P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R380P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R380P6ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD60R380P6ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V DPAK-3
Серии : CoolMOS™ P6
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 877pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.