ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-25DBI

KEY Part #: K935911

IS43DR16320C-25DBI Цены (доллары США) [13889шт сток]

  • 1 pcs$3.94733
  • 209 pcs$3.92769

номер части:
IS43DR16320C-25DBI
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, PMIC - зарядные устройства, Часы / Время - Часы реального времени, Аудио специального назначения, Логика - Ворота и Инверторы, Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном and Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBI electronic components. IS43DR16320C-25DBI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320C-25DBI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320C-25DBI Атрибуты продукта

номер части : IS43DR16320C-25DBI
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 400ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 84-TFBGA
Комплект поставки устройства : 84-TWBGA (8x12.5)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS93C66A-2GRLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC EEPROM 4K SPI 3MHZ 8SOIC.

  • AT28HC256-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp

  • MT25QL512ABB8E12-0AUT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M SPI 24TPBGA.

  • MT25QU512ABB8E12-0AUT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M SPI 24TPBGA.

  • IS42S32800B-6BL

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA.