Infineon Technologies - IRFH8316TRPBF

KEY Part #: K6407456

IRFH8316TRPBF Цены (доллары США) [244308шт сток]

  • 1 pcs$0.15140
  • 4,000 pcs$0.14534

номер части:
IRFH8316TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFH8316TRPBF electronic components. IRFH8316TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH8316TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8316TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFH8316TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 27A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.95 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3610pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3462(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.