Vishay Siliconix - SIHG61N65EF-GE3

KEY Part #: K6398652

SIHG61N65EF-GE3 Цены (доллары США) [6336шт сток]

  • 1 pcs$6.50473
  • 10 pcs$5.91419
  • 100 pcs$5.02706
  • 500 pcs$4.28779

номер части:
SIHG61N65EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG61N65EF-GE3 electronic components. SIHG61N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG61N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG61N65EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG61N65EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 64A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 371nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7407pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 520W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.

  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.