Toshiba Semiconductor and Storage - TK100E10N1,S1X

KEY Part #: K6398222

TK100E10N1,S1X Цены (доллары США) [25692шт сток]

  • 1 pcs$1.76280
  • 50 pcs$1.41800
  • 100 pcs$1.29191
  • 500 pcs$0.99249
  • 1,000 pcs$0.83704

номер части:
TK100E10N1,S1X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1,S1X electronic components. TK100E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK100E10N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100E10N1,S1X Атрибуты продукта

номер части : TK100E10N1,S1X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8800pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 255W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.